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多晶硅锭
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产品描述
品牌：西京科技
单位：西京电子科技有限公司
规格：Polysilicon Ignot
单位：西京电子科技有限公司
规格：Polysilicon Ignot
详细介绍
156×156多晶硅片技术参数
Technical parameters of 156×156 polysilicon film
类型 Type | 晶体生长方式 Crystal growth method | 热交换法 |
导电类型 Conductance type | P | |
性能 Capability | 电阻率（Ω?cm） Resistivity | 1.0～3.0,3.0～6.0 |
氧含量（atoms/cm3） Oxygen | ≤1.0×1018 | |
碳含量（atoms/cm3） Carbon | ≤8.0×1017 | |
少子寿命（μs） Life time | ≥4 | |
位错密度（/cm2） Dislocation density | ≤3000 | |
外形 Externality | 硅片外形尺寸（mm） Dimensions tolerance | 156×156±0.5 |
硅片直径（mm） Wafer diameter | 165±0.5 | |
硅片中心厚度（μm） Center thickness | 200±20 | |
总厚度变化-ttv（μm） Total thickness variation | ≤30 | |
硅片表面粗糙度（μm） Surface roughness | ≤8 | |
硅片相邻边垂直度（°） Perpendicularity | 90±0.3 | |
硅片边长极差（mm） Length difference | ≤1.5 | |
硅片弯曲度（μm） Bow | ≤40 | |
外观 Appearance | 边缘缺陷 edge defect quantity 深度≤0.5mm edge defect depth≤0.5mm 长度≤1.0mm edge defect length≤1.0mm | ≤2 |
表面污点/斑点 Dirt | none | |
表面穿孔/裂纹 Hole/crack | none | |
目视翘曲 Obvious tactility | none |
